SI5479DU-T1-E3 datasheet
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>> SI5479DU-T1-E3 MOSFET 12V 16.9A 7.8W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI5479DU-T1-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 12V 16.9A 7.8W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 12V 16.9A 7.8W
SI5479DU-T1-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
12 V
闸/源击穿电压
+/- 8 V
漏极连续电流
10.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
21 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8 ChipFET Single
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI5479DU-T1-E3
SI5479DU-T1-GE3
SI5480DU-T1-E3
SI5480DU-T1-GE3
SI5481DU-T1-E3
SI5481DU-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市运芯业电子有限公司
13723710782
蔡俊奇
深圳市芯睿晨科技有限公司
0755-82571496
李小姐/肖先生
无锡固电半导体股份有限公司
15961889159
张小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
17862669251
洪宝宇
深圳市十德盛科技有限公司
0755-82719071
李先生
SI5479DU-T1-E3 参考价格
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